Открывается совместная лаборатория литографии Asmax и IMEC: массовое производство EUV с высокой NA уже в 2025 году

Jun 05, 2024 Оставить сообщение

4 июня, по сообщениям СМИ, Бельгийский исследовательский центр микроэлектроники (IMEC) и ASML объявили о создании совместной лаборатории литографии High NA EUV в Вельдховене, Нидерланды.


После нескольких лет тщательного строительства и интеграции эта лаборатория теперь полностью подготовлена ​​и будет предоставлять передовую техническую поддержку ведущим мировым производителям логики и микросхем хранения, а также поставщикам передовых материалов и оборудования.


Основным оборудованием лаборатории является прототип EUV-сканера с высокой числовой апертурой (TWINSCAN EXE: 5000), а также сопутствующие инструменты обработки и измерения, которые будут совместно способствовать прорывам в будущем производстве чипов.


Открытие этой совместной лаборатории рассматривается как важная веха в процессе подготовки к массовому производству с использованием технологии EUV с высокой NA. Отрасль ожидает, что благодаря постоянному развитию и популяризации этой технологии она приведет к крупномасштабному массовому производству в период с 2025 по 2026 год.


Стоит отметить, что компания Asma ранее публично демонстрировала последнее поколение машин для литографии High NA EUV. Эта литографическая машина имеет огромный объем, эквивалентный двухэтажному автобусу, и весит до 150 тонн.


Из-за огромных размеров и сложного процесса сборки оборудование необходимо упаковывать в 250 отдельных плоских лапш для транспортировки, что указывает на его чрезвычайные трудности в процессе производства и транспортировки.

Несмотря на высокую стоимость производства литографической машины High NA EUV, которая, как сообщается, оценивается в 350 миллионов евро (приблизительно 2,7 миллиарда юаней), ее ценность в области производства полупроводников неизмерима. Он станет важным оружием для трех крупнейших мировых производителей пластин, позволяющих добиться крупномасштабного производства передовых технологий с использованием техпроцессов ниже 2 нм.